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CTLDM303N-M832DS BK /MOSFET DUAL N-CHANNEL
CTLDM303N-M832DS BK的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型2 N-通道(双)

FET 功能标准

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.6A(Ta)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)40 毫欧 @ 1.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)13nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)590pF @ 10V

功率 - 最大值1.65W

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘

供应商器件封装TLM832DS

供应商CTLDM303N-M832DS BK
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深圳市芯泽盛世科技有限公司CTLDM303N-M832DS BK龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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唐伟,吕年英Email:sales@boraintech.com询价
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